دیتاشیت IPB090N06N3 G
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | IPB090N06N3 G |
|---|---|
| حجم فایل | 62.704 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 10 |
دانلود دیتاشیت IPB090N06N3 G |
IPB090N06N3 G Datasheet |
|---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Infineon Technologies IPB090N06N3 G
- Power Dissipation (Pd): 71W
- Drain Source Voltage (Vdss): 60V
- Continuous Drain Current (Id): 50A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@34uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 9mΩ@10V,50A
- Package: TO-263-3
- Manufacturer: Infineon Technologies
